Was ist eine Waferkerbe?
Eine Kerbe ist eine kleine Rille, die direkt unter einem Siliziumwafer eingeschnitten ist, normalerweise in V- oder U-Form. Notch hat zwei Funktionen. Eine besteht darin, die Kristallorientierung des Siliziumwafers zu markieren, z<100>, <110>, <111>usw. Die andere Funktion besteht darin, die korrekte Positionierung und Ausrichtung des Siliziumwafers in Halbleiterfertigungsanlagen zu ermöglichen. Im Allgemeinen finden sich Kerben in 8--Zoll- und 12--Zoll-Wafern.
Wie sieht Notch aus?
Die Größe der Kerbe muss strikt den SEMI-Standards entsprechen, wie in der Abbildung oben dargestellt:
1. Vw stellt die Gesamtbreite der Kerbe dar und ihre Größe hängt vom Durchmesser und der Dicke des Siliziumwafers ab.
2. Vh ist die Tiefe der Kerbe, die den vertikalen Abstand vom Rand des Siliziumwafers bis zum Boden der Rille angibt. Sie liegt im Allgemeinen zwischen 1,0 und 1,25 mm. Vh ist entscheidend, um die Ausrichtungsgenauigkeit der Kerbe sicherzustellen.
3. AngV, d. h. Kerbwinkel. AngV ist der Winkel der Kerbe, also der Winkel zwischen den Kanten der Nut auf beiden Seiten. Sie liegt im Allgemeinen zwischen 89 Grad und 95 Grad. Dieser Winkel spielt eine entscheidende Rolle für die Geometrie und Positionierung der Kerbe.
4. R1 und R2 stellen die Radien der Ecken auf beiden Seiten der Kerbe dar. Diese beiden Radien bestimmen die Glätte der Rillenecken, beeinflussen die Spannungskonzentration der Kerbe und beeinflussen die mechanischen Eigenschaften des Siliziumwafers.
5. Vr ist der Krümmungsradius am Boden der Kerbe und gibt die Größe des Bogens am Boden der Nut an. Vr kann die Kurvenform und die Glätte der Kerbe verändern. Ein größerer Vr kann die Unterseite der Kerbe flacher machen, was zur Verringerung der Spannungskonzentration beiträgt.
6. Kerbenorientierung: Die Richtung der Nut verläuft parallel zur spezifischen Kristallorientierung des Wafers und eine Abweichung von ±2 Grad ist zulässig.
