Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd.:Ihr vertrauenswürdiger Hersteller von 300-mm-Siliziumwafern!
Sibranch Microelectronics wurde 2006 von Material- und Ingenieurwissenschaftlern in Ningbo, China, gegründet und hat sich zum Ziel gesetzt, weltweit Halbleiterwafer und Dienstleistungen anzubieten. Zu unseren Hauptprodukten gehören Standard-Siliziumwafer SSP (einseitig poliert), DSP (doppelseitig poliert), Test-Siliziumwafer und Prime-Siliziumwafer, SOI-Wafer (Silicon on Insulator) und Münzrollenwafer mit einem Durchmesser von bis zu 12 Zoll, CZ/MCZ/FZ/NTD, fast jede Ausrichtung, Off-Cut, hoher und niedriger spezifischer Widerstand, ultra-flache, ultra-dünne, dicke Wafer usw.
Führender Service
Wir sind bestrebt, unsere Produkte ständig weiterzuentwickeln, um ausländischen Kunden eine große Anzahl qualitativ hochwertiger Produkte zu bieten und so die Kundenzufriedenheit zu übertreffen. Wir können auch maßgeschneiderte Dienstleistungen entsprechend den Kundenanforderungen wie Größe, Farbe, Aussehen usw. anbieten. Wir können den günstigsten Preis und qualitativ hochwertige Produkte anbieten.
Qualität garantiert
Wir haben kontinuierlich geforscht und Innovationen entwickelt, um den Bedürfnissen verschiedener Kunden gerecht zu werden. Gleichzeitig halten wir uns stets an strenge Qualitätskontrollen, um sicherzustellen, dass die Qualität jedes Produkts internationalen Standards entspricht.
Große Vertriebsländer
Wir konzentrieren uns auf den Verkauf in Überseemärkten. Unsere Produkte werden nach Europa, Amerika, Südostasien, in den Nahen Osten und in andere Regionen exportiert und werden von Kunden auf der ganzen Welt gut angenommen.
Verschiedene Arten von Produkten
Unser Unternehmen bietet maßgeschneiderte Siliziumwafer-Verarbeitungsdienstleistungen an, die auf die spezifischen Bedürfnisse unserer Kunden zugeschnitten sind. Dazu gehören unter anderem Si Wafer BackGrinding, Dicing, DownSizing, Edge Grinding sowie MEMS. Wir sind bestrebt, maßgeschneiderte Lösungen zu liefern, die die Erwartungen übertreffen und die Kundenzufriedenheit gewährleisten.
Produkttypen
CZ-Siliziumwafer werden aus einkristallinen Siliziumbarren geschnitten, die mit der Czochralski-CZ-Wachstumsmethode gezogen werden, die in der Elektronikindustrie am häufigsten zum Züchten von Siliziumkristallen aus großen zylindrischen Siliziumbarren verwendet wird, die zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden. Bei diesem Verfahren wird ein länglicher kristalliner Siliziumkeim mit präziser Ausrichtungstoleranz in ein Siliziumschmelzbad mit präzise kontrollierter Temperatur eingebracht. Der Impfkristall wird langsam und mit streng kontrollierter Geschwindigkeit aus der Schmelze nach oben gezogen, und an der Grenzfläche kommt es zur Kristallverfestigung der Atome der flüssigen Phase. Während dieses Ziehvorgangs rotieren der Impfkristall und der Tiegel in entgegengesetzte Richtungen und bilden so einen großen Einkristall aus Silizium mit einer perfekten Kristallstruktur des Impfkristalls.
Siliziumoxidwafer sind ein fortschrittliches und unverzichtbares Material, das in verschiedenen High-Tech-Branchen und -Anwendungen eingesetzt wird. Es handelt sich um eine hoch{2}}reine kristalline Substanz, die durch die Verarbeitung hochwertiger-Siliziummaterialien hergestellt wird, was sie zu einem idealen Substrat für viele verschiedene Arten elektronischer und photonischer Anwendungen macht.
Dummy-Wafer (auch Testwafer genannt) sind Wafer, die hauptsächlich für Experimente und Tests verwendet werden und sich von allgemeinen Wafern für Produkte unterscheiden. Dementsprechend werden regenerierte Wafer meist als Dummy-Wafer (Testwafer) eingesetzt.
Goldbeschichteter Siliziumwafer
Gold-beschichtete Siliziumwafer und gold-beschichtete Siliziumchips werden häufig als Substrate für die analytische Charakterisierung von Materialien verwendet. Beispielsweise können auf mit Gold-beschichteten Wafern abgeschiedene Materialien aufgrund des hohen -Reflexionsvermögens und der günstigen optischen Eigenschaften von Gold mittels Ellipsometrie, Raman-Spektroskopie oder Infrarotspektroskopie (IR) analysiert werden.
Silizium-Epitaxiewafer sind äußerst vielseitig und können in verschiedenen Größen und Dicken hergestellt werden, um den unterschiedlichen Branchenanforderungen gerecht zu werden. Sie werden auch in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter integrierte Schaltkreise, Mikroprozessoren, Sensoren, Leistungselektronik und Photovoltaik.
Thermisches Oxid trocken und nass
Hergestellt mit der neuesten Technologie und ist darauf ausgelegt, beispiellose Zuverlässigkeit und gleichbleibende Leistung zu bieten. Thermal Oxide Dry and Wet ist ein unverzichtbares Werkzeug für Halbleiterhersteller weltweit, da es eine effiziente Möglichkeit bietet, qualitativ hochwertige Wafer herzustellen, die alle anspruchsvollen Anforderungen der Branche erfüllen.
Dieser Wafer hat einen Durchmesser von 300 Millimetern und ist damit größer als herkömmliche Wafergrößen. Diese größere Größe macht es kostengünstiger und effizienter und ermöglicht eine höhere Produktionsleistung ohne Einbußen bei der Qualität.
Der 100-mm-Siliziumwafer ist ein hochwertiges Produkt, das in der Elektronik- und Halbleiterindustrie weit verbreitet ist. Dieser Wafer ist darauf ausgelegt, optimale Leistung, Präzision und Zuverlässigkeit zu bieten, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen unerlässlich sind.
Auch der 200-mm-Siliziumwafer ist vielseitig einsetzbar, mit Anwendungen in Forschung und Entwicklung sowie in der Großserienfertigung. Es kann genau an Ihre Spezifikationen angepasst werden, mit Optionen für dünne oder dicke Wafer, polierten oder unpolierten Oberflächen und anderen Funktionen entsprechend Ihren spezifischen Anforderungen.
Was ist ein thermischer Oxid-Siliziumwafer?
Bei thermischen Oxid-Siliziumwafern handelt es sich um Siliziumwafer, auf denen sich eine Schicht aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet hat. Durch den thermischen Oxidationsprozess wird bei erhöhter Temperatur in Gegenwart eines Oxidationsmittels eine thermische Oxidschicht (Si+SiO2) oder Siliziumdioxidschicht auf einer blanken Siliziumwaferoberfläche gebildet. Es wird normalerweise in einem horizontalen Rohrofen mit einem Temperaturbereich von 900 bis 1200 Grad gezüchtet, wobei entweder eine „nasse“ oder eine „trockene“ Wachstumsmethode verwendet wird. Bei thermischem Oxid handelt es sich um eine Art „gewachsene“ Oxidschicht. Im Vergleich zur CVD-abgeschiedenen Oxidschicht handelt es sich um eine ausgezeichnete dielektrische Schicht als Isolator mit höherer Gleichmäßigkeit und höherer Durchschlagsfestigkeit. Bei den meisten Geräten auf Silizium--Basis ist die thermische Oxidschicht ein wichtiges Material zur Beruhigung der Siliziumoberfläche, um als Dotierungsbarriere und Oberflächendielektrikum zu fungieren.
Arten von thermischen Oxid-Siliziumwafern
Nasses thermisches Oxid auf beiden Seiten des Wafers
Filmdicke: 500 Å – 10 µm auf beiden Seiten
Filmdickentoleranz: Zielwert ±5 %
Filmspannung: – 320 ± 50 MPa Druck
Nasses thermisches Oxid auf einer Seite des Wafers
Filmdicke: 500 Å – 10.000 Å auf beiden Seiten
Filmdickentoleranz: Zielwert ±5 %
Filmspannung: -320 ± 50 MPa Druck
Trockenes thermisches Oxid auf beiden Seiten des Wafers
Filmdicke: 100 Å – 3.000 Å auf beiden Seiten
Filmdickentoleranz: Zielwert ±5 %
Filmspannung: – 320 ± 50 MPa Druck
Trockenes thermisches Oxid auf einer Seite des Wafers
Filmdicke: 100 Å – 3.000 Å auf beiden Seiten
Filmdickentoleranz: Zielwert ±5 %
Filmspannung: – 320 ± 50 MPa Druck
Trockenes chloriertes thermisches Oxid mit Formiergasglühen
Filmdicke: 100 Å – 3.000 Å auf beiden Seiten
Filmdickentoleranz: Zielwert ±5 %
Filmspannung: – 320 ± 50 MPa Druck
Seitenprozess: Beide Seiten
Die thermische Oxidation von Silizium beginnt damit, dass die Siliziumwafer in ein Quarzgestell, allgemein als Schiffchen bekannt, gelegt werden, das in einem thermischen Quarzoxidationsofen erhitzt wird. Die Temperatur im Ofen kann bei Normaldruck zwischen 950 und 1.250 Grad Celsius liegen. Um die Wafer auf etwa 19 Grad Celsius der gewünschten Temperatur zu halten, ist ein Kontrollsystem erforderlich.
Abhängig von der Art der durchgeführten Oxidation wird Sauerstoff oder Dampf in den thermischen Oxidationsofen eingeleitet.
Sauerstoff aus diesen Gasen diffundiert dann von der Oberfläche des Substrats durch die Oxidschicht zur Siliziumschicht. Die Zusammensetzung und Tiefe der Oxidationsschicht kann durch Parameter wie Zeit, Temperatur, Druck und Gaskonzentration genau gesteuert werden.
Eine hohe Temperatur erhöht die Oxidationsrate, erhöht aber auch die Verunreinigungen und die Bewegung der Verbindung zwischen der Silizium- und der Oxidschicht.
Diese Eigenschaften sind insbesondere dann unerwünscht, wenn der Oxidationsprozess mehrere Schritte erfordert, wie es bei komplexen ICs der Fall ist. Eine niedrigere Temperatur erzeugt eine Oxidschicht höherer Qualität, verlängert aber auch die Wachstumszeit.
Die typische Lösung für dieses Problem besteht darin, die Wafer bei relativ niedriger Temperatur und hohem Druck zu erhitzen, um die Wachstumszeit zu verkürzen.
Eine Erhöhung um eine Standardatmosphäre (atm) verringert die erforderliche Temperatur um etwa 20 Grad Celsius, vorausgesetzt, alle anderen Faktoren sind gleich. Industrielle Anwendungen der thermischen Oxidation nutzen einen Druck von bis zu 25 atm bei einer Temperatur zwischen 700 und 900 Grad Celsius.
Die Oxidwachstumsrate ist zunächst sehr schnell, verlangsamt sich jedoch, da Sauerstoff durch eine dickere Oxidschicht diffundieren muss, um das Siliziumsubstrat zu erreichen. Nach Abschluss der Oxidation dringen fast 46 Prozent der Oxidschicht in das ursprüngliche Substrat ein, so dass 54 Prozent der Oxidschicht auf dem Substrat verbleiben.
FAQ
Warum uns wählen
Unsere Produkte beziehen wir ausschließlich von den fünf weltweit führenden Herstellern und führenden inländischen Fabriken. Unterstützt durch hochqualifizierte nationale und internationale technische Teams und strenge Qualitätskontrollmaßnahmen.
Unser Ziel ist es, den Kunden eine umfassende individuelle Betreuung zu bieten und reibungslose Kommunikationskanäle zu gewährleisten, die professionell, zeitnah und effizient sind. Wir bieten eine geringe Mindestbestellmenge und garantieren eine schnelle Lieferung innerhalb von 24 Stunden.
Fabrikschau
Unser umfangreicher Lagerbestand besteht aus 1000+ Produkten, sodass Kunden Bestellungen bereits ab einem Stück aufgeben können. Unsere eigenen Geräte zum Würfeln und Hinterschleifen sowie die umfassende Zusammenarbeit in der globalen Industriekette ermöglichen uns einen pünktlichen Versand, um die Zufriedenheit und den Komfort unserer Kunden aus einer Hand zu gewährleisten.
Unser Zertifikat
Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.
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