Produktbeschreibung
Dieser Wafer hat einen Durchmesser von 300 Millimetern und ist damit größer als herkömmliche Wafer. Diese größere Größe macht ihn kostengünstiger und effizienter und ermöglicht eine höhere Produktionsleistung ohne Qualitätseinbußen.
Der 300-mm-Siliziumwafer besteht aus extrem reinem Silizium und gewährleistet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen. Er bietet hohe Präzision und Einheitlichkeit und gewährleistet so in jeder Charge gleichbleibende Leistung und Qualität.
In Bezug auf die mechanischen Eigenschaften weist dieser Wafer eine ausgezeichnete Ebenheit und Dickengleichmäßigkeit auf, was zu einer hohen Ausbeute und einer geringen Fehlerrate während der Produktion führt. Seine Oberfläche ist extrem glatt, was ihn ideal für Hochleistungsanwendungen macht, die eine optimale Oberflächenqualität erfordern.
Ein weiterer Vorteil der 300-mm-Siliziumscheibe ist ihre Fähigkeit, hohen Temperaturen standzuhalten, wodurch sie sich für den Einsatz in einer Vielzahl rauer Umgebungen eignet. Diese Eigenschaft ist besonders vorteilhaft für Branchen wie die Luft- und Raumfahrt und die Verteidigung, in denen Komponenten unter extremen Bedingungen zuverlässig funktionieren müssen.
Insgesamt ist der 300-mm-Siliziumwafer ein Spitzenprodukt, das beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit bietet. Seine fortschrittlichen Funktionen und Vorteile machen ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil in vielen Branchen und bieten hochwertige Substrate für eine breite Palette von Geräten und Systemen.
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Wachstum |
CZ, MCZ, FZ |
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Grad |
Prime, Test, Dummy usw. |
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Durchmesser |
12 Zoll / 300 mm |
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Dicke |
600~800um |
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Beenden |
Geschnitten, geläppt, DSP (300 nm, 200 nm, 120 nm, 90 nm, 65 nm, 37 nm) usw. |
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Orientierung |
(100) usw. |
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Verschnitt |
Bis zu 4 Grad |
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Typ/Dotierstoff |
P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, Intrinsisch |
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Spezifischer Widerstand |
CZ/MCZ: Von 0.001 bis 200 Ohm-cm |
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FZ: Bis zu 5000 Ohm-cm |
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Dünne Filme |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo usw., Schichtdicken bis zu 20, 000 Å / ± 5 % |
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* LPCVD/PECVD: Oxid, Nitrid, SiC usw., Beschichtungsdicken bis zu 200, 000 Å / ± 3 % |
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* Silizium-Epitaxie-Wafer und Epitaxie-Dienste (SOS, GaN, GOI usw.). |
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Prozesse |
DSP, ultradünn, ultraflach usw. |
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Verkleinern, Rückschleifen, Würfeln usw. |
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MEMS |
Produktbild
Warum uns wählen
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