Produktbeschreibung
SiC-Dummy-Wafer sind ein hochwertiges Produkt, das in der Halbleiterindustrie weit verbreitet ist. Es handelt sich um einen Siliziumkarbid-Wafer, der speziell zum Testen und Debuggen von Halbleiterbauelementen entwickelt wurde. Der SiC-Dummy-Wafer ist ein wichtiges Werkzeug für Halbleiterhersteller, da er ihnen hilft, die Qualität und Integrität ihrer Produkte sicherzustellen.
Einer der Hauptvorteile des SiC-Dummy-Wafers ist seine hohe Reinheit und Gleichmäßigkeit. Dies stellt sicher, dass er beim Testen und Debuggen von Halbleiterbauelementen genaue und zuverlässige Ergebnisse liefert. Der Wafer ist außerdem äußerst langlebig und widerstandsfähig gegen Beschädigungen, was ihn zur idealen Wahl für den Einsatz in rauen Betriebsumgebungen macht.
Ein weiterer Vorteil des SiC-Dummy-Wafers ist seine Vielseitigkeit. Er kann in einer Vielzahl von Halbleiteranwendungen eingesetzt werden, darunter Leistungsgeräte, HF-Geräte und Optoelektronik. Dies macht ihn zu einem wertvollen Werkzeug für Halbleiterhersteller, die eine Vielzahl von Geräten testen müssen.
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4H N-TYP SiC 100MM, 350μm WAFER SPEZIFIKATION |
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Artikelnummer |
W4H100N-4-PO (oder CO)-350 |
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Beschreibung |
4H SiC-Substrat |
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Polytypie |
4H |
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Durchmesser |
(100+0.0-0.5) mm |
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Dicke |
(350±25) μm (technische Qualität ±50μm) |
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Trägertyp |
n-Typ |
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Dotierstoff |
Stickstoff |
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Spezifischer Widerstand (RT) |
0.012-0.025Ω▪cm (technische Qualität<0.025Ω▪cm) |
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Waferausrichtung |
(4+0.5) Grad |
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Technische Qualität |
Produktionsqualität |
Produktionsqualität |
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2.1 |
2.2 |
2.3 |
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Mikrorohrdichte |
Kleiner oder gleich 30cm-² |
Kleiner oder gleich 10cm-² |
Kleiner oder gleich 1cm-² |
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Mikrorohr Freie Fläche |
Nicht angegeben |
Größer oder gleich 96 % |
Größer oder gleich 96 % |
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Ausrichtung flach (OF) |
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Orientierung |
Parallel {1-100} ±5 Grad |
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Ausrichtung flache Länge |
(32,5±2,0) mm |
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Identifikationsfläche (IF) |
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Orientierung |
Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, von der Ausrichtung flach ±5 Grad |
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Kennzeichnung Flachlänge |
(18.0+2.0) mm
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Oberfläche |
Option 1: Si-Face Standardpolitur Epi-ready C-Face optische Politur |
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Option 2: Si-Face CMP Epi-ready, C-Face optische Politur |
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Paket |
Versandkarton für mehrere Wafer (25) |
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(Einzelwaferpaket auf Anfrage) |
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6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPEZIFIKATION |
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Artikelnummer |
W6H51N-0-Uhr-250-S |
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Beschreibung |
6H-SiC-Substrat in Produktionsqualität |
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Polytypie |
6H |
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Durchmesser |
(50,8±38) mm |
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Dicke |
(250±25) um |
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Trägertyp |
n-Typ |
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Dotierstoff |
Stickstoff |
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Spezifischer Widerstand (RT) |
0.06-0.10Ω▪cm |
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Waferausrichtung |
(0+0.5) Grad |
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Mikrorohrdichte |
Kleiner oder gleich 100cm-² |
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Ausrichtung flache Ausrichtung |
Parallel {1-100} ±5 Grad |
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Ausrichtung flache Länge |
(15,88±1,65) mm |
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Kennzeichnung flache Ausrichtung |
Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, vordere Ausrichtung flach ±5 Grad |
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Kennzeichnung Flachlänge |
(8+1.65) mm |
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Oberfläche |
Si-Face Standardpolitur Epi-ready |
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C-Gesicht mattiert |
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Paket |
Verpacken Sie ein einzelnes Waferpaket oder einen Versandkarton mit mehreren Wafern |
Produktbild
Warum uns wählen
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Unser Zertifikat
Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.
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