4,6,8-Zoll-Silizium-Wafer-Inventar-Update_20240311 SOI

Update zum Lagerbestand an 4,6,8-Zoll-Siliziumwafern_20240311 SOI

Mar 12, 2024 Eine Nachricht hinterlassen

VIEL	PRODUKT	DURCHMESSER	KRISTALL	TYP	DOPANT	ORIENTIERUNG	DICKE	WIDERSTAND
G8P131	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Gerät: 55 ± 7,5 nm, 8 ~ 12 Ohm.cm / Box: 145 ± 10 nm, Kerbe<110>
C19404-3-2	SOI	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Gerät: 210–230 nm, 8–12 Ohm.cm / Box: 2950–3050 nm
G8P238S	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Gerät: 200–240 nm, 8–12 Ohm.cm / Box: 1950–2050 nm
G8P217	SOI	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Gerät: 210~230nm, P<100>, 8~12 Ohm.cm / Feld: 1950~2050nm
G8P500	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Gerät: 500±50 nm / Box: 2950~3050 nm, Kerbenausrichtung<110>
G8P600	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Gerät: 600±60 nm / Box: 2950~3050 nm, Kerbenausrichtung<110>
G8P340	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Gerät: 340±25 nm / Box: 2900~3100 nm, Kerbenausrichtung<110>
G8P288	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	>1000	Gerät: 145 ± 12,5 nm, 8 ~ 12 Ohm.cm / Box: 400 ± 25 nm, Kerbe<110>
G8M107	SOI	200	CZ	N	Ph	100	725±15	0.3~1.2	Gerät: 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 Ohm-cm / Box: 950~1050 nm, Kerbe<100>
230300058	SOI	150	CZ	P	B	100	450±5	1~10	Gerät: 15 μm ±0,5 μm P 0,01~0,02 / Box: 5 μm ±5 %, DSP
1511032	SOI	100	CZ	N		100	475±25	N / A	Gerät: 20μm±0,5 N 0,001~0,02 / Karton: 15μm±3 %
G8N70	SOI	200	CZ	N	Ph	100	725±10	1~10	Gerät: 70 μm ± 5 % / Box: 1000 nm ± 5 %
G8K00318	SOI	200	CZ	P	B	100	625±10	>1000	Gerät: 1,5±0,5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	SOI	200	CZ	P	B	100	725±15	8.5~11.5	Gerät: 1250±100 nm / Box: 400±40 nm
112301	SOI	100	CZ	N	Sb	100	300	0.005~0.025	Gerät: 30μm / Box: 0,5μm
G6P163S	SOI	150	CZ	P	B	100	675±15	10~20	Gerät: 200–240 nm, 10–20 Ohm.cm / Box: 2850–3150 nm