Unterschied zwischen Halbleiter-Siliziumwafern und Photovoltaik-Siliziumwafern

Halbleiter-Siliziumwafer, da Halbleiter-Siliziumwafer rund sind, werden Halbleiter-Siliziumwafer daher auch „Siliziumwafer“ oder „Wafer“ genannt. Der Wafer ist das „Substrat“ der Chipherstellung, und alle Chips werden auf diesem „Substrat“ hergestellt.
Bei Photovoltaik-Siliziumwafern handelt es sich um hochreines blattförmiges Silizium, das durch Schneiden, Polieren und Reinigen von Siliziumstäben entsteht. Halbleiter; dotiert mit einer kleinen Menge an Elementen der Gruppe VA (Phosphor), kann ein Siliziumhalbleiter vom N-Typ gebildet werden; N-Typ- und P-Typ-Halbleiter können kombiniert werden, um kristalline Silizium-Photovoltaikzellen herzustellen, die die Strahlungsenergie der Sonne in elektrische Energie umwandeln. Photovoltaische monokristalline Siliziumwafer werden in zwei Typen unterteilt: monokristallines Silizium und polykristallines Silizium, wobei polykristallines Silizium etwa 60 % ausmacht.
Was sind die Hauptunterschiede zwischen Halbleiter-Siliziumwafern und Photovoltaik-Siliziumwafern?
An Halbleiter-Siliziumwafer werden höhere Anforderungen gestellt als an Photovoltaik-Siliziumwafer. Bei den in der Halbleiterindustrie verwendeten Siliziumwafern handelt es sich ausschließlich um monokristallines Silizium. Der Zweck besteht darin, an jeder Position des Siliziumwafers die gleichen elektrischen Eigenschaften sicherzustellen. Von Form und Größe her sind monokristalline Siliziumwafer für die Photovoltaik quadratisch, überwiegend mit Seitenlängen von 125 mm, 150 mm und 156 mm. Die monokristallinen Siliziumwafer für Halbleiter sind rund und die Durchmesser der Siliziumwafer betragen 150 mm (6--Zoll-Wafer), 200 mm (8--Zoll-Wafer) und 300 mm (12--Zoll-Wafer). In Bezug auf die Reinheit erfordert die Reinheit von monokristallinen Siliziumwafern für die Photovoltaik, dass der Siliziumgehalt zwischen 4N-6N (99,99 %-99,9999 %) liegt, bei monokristallinen Siliziumwafern für Halbleiter liegt er jedoch bei etwa 4 N-6N (99,99 %-99,9999 %). 9N (99,9999999 %)-11N (99,999999999 %). Die Reinheitsanforderung ist mindestens 1000-mal höher als bei monokristallinen Siliziumwafern für die Photovoltaik. Hinsichtlich des Aussehens sind die Ebenheit, Glätte und Sauberkeit der Oberfläche von Siliziumwafern für Halbleiter höher als bei Siliziumwafern für die Photovoltaik. Die Reinheit ist der größte Unterschied zwischen einkristallinen Siliziumwafern für die Photovoltaik und einkristallinen Siliziumwafern für Halbleiter.