Wafer aus Silizium auf Isolator (SOI) werden mit drei Hauptmethoden hergestellt: epitaktischer Schichttransfer, gebundenes SOI und Silizium auf Isolator. Jede Technik hat ihre eigenen Vorteile und Vorteile.
Zunächst kann mithilfe der Silizium-auf-Isolator-Technik eine Siliziumschicht auf einer Isolierschicht, beispielsweise Siliziumdioxid, erzeugt werden. Bei dieser Methode werden die obere Siliziumschicht und das darunter liegende Substrat durch eine vergrabene Oxidschicht getrennt, die durch Ionenimplantation erzeugt wird. Dieses Verfahren eignet sich besonders gut zur Herstellung von Wafern mit hervorragender Wärmeleitfähigkeit und homogenen Schichten.
Zweitens wird eine dünne Schicht aus hochwertigem Silizium mithilfe des Bonded-SOI-Verfahrens auf ein Isolatorsubstrat geklebt. Dies wird erreicht, indem eine dünne Siliziumschicht auf ein Substrat aufgebracht wird, nachdem es durch Ionenimplantation oder epitaktisches Wachstum erzeugt wurde. Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung hochintegrierter Schaltkreise und eignet sich hervorragend für die Herstellung von Wafern mit bestimmten Dicken.
Eine weitere Methode zur Herstellung von SOI-Wafern ist schließlich der epitaktische Schichttransfer. Mithilfe epitaktischer Wachstumstechniken wird bei diesem Prozess eine dünne Siliziumschicht auf einem Spendersubstrat gebildet. Anschließend wird diese Schicht durch chemisch-mechanisches Polieren und Waferbonden auf ein isolierendes Substrat geklebt. Das Endprodukt ist ein hochwertiger SOI-Wafer mit außergewöhnlichen elektrischen Eigenschaften.