SiC-Wafer

Siliziumkarbid-Wafer und -Substrate (SiC) sind Spezialmaterialien für die Halbleitertechnologie, die aus Siliziumkarbid bestehen, einer Verbindung, die für ihre hohe Wärmeleitfähigkeit, hervorragende mechanische Festigkeit und große Bandlücke bekannt ist. SiC-Wafer und -Substrate sind außergewöhnlich hart und leicht und bilden eine robuste Grundlage für die Herstellung von elektronischen Hochleistungsgeräten mit hoher Frequenz, wie z. B. Leistungselektronik und Hochfrequenzkomponenten.

Aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften eignen sich Siliziumkarbid-Wafer ideal für Anwendungen, die einen Betrieb bei hohen Temperaturen, raue Umgebungen und verbesserte Energieeffizienz erfordern.

Im Vergleich zu herkömmlichen Si-Geräten verfügen SiC-basierte Leistungsgeräte über schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Spannungen, geringere parasitäre Widerstände, kleinere Größen und aufgrund der Hochtemperaturbeständigkeit über einen geringeren Kühlungsbedarf.

Unsere Siliziumkarbid-Wafer sind in vielen verschiedenen Größen und Spezifikationen erhältlich, sodass unsere Kunden die beste Option für ihre spezifischen Anforderungen auswählen können. Wir bieten sowohl blanke Wafer als auch epitaktische Wafer an und können unsere Produkte an die Anforderungen jedes Projekts anpassen.

Bei SiBranch sind wir bestrebt, unseren Kunden den bestmöglichen Service und Support zu bieten. Unser Expertenteam steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten und Sie zu den besten Produkten und Lösungen für Ihr Projekt zu beraten. SiBranch bietet eine breite Palette an Produkten und Dienstleistungen, um den vielfältigen Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere Produkte zu erfahren und wie wir Ihnen helfen können, Ihre Ziele zu erreichen.

 

Siliziumkarbid (SiC)-Wafer

Siliziumkarbid-Wafer (SiC) sind ein Halbleitermaterial, das bei der Herstellung elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet wird, die bei hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen betrieben werden müssen. SiC ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, was bedeutet, dass es eine höhere Durchbruchspannung hat und bei höheren Temperaturen betrieben werden kann als herkömmliche Halbleiter wie Silizium.

SiC-Wafer werden üblicherweise mit den Methoden des physikalischen Dampftransports (PVT) oder der chemischen Dampfabscheidung (CVD) hergestellt. Bei der PVT-Methode wird ein SiC-Kristall in einen Hochtemperaturofen gegeben und ein Ausgangsmaterial, üblicherweise Silizium oder Kohlenstoff, erhitzt, bis es verdampft. Der Dampf wird durch ein Trägergas, üblicherweise Argon, transportiert und auf dem Kristall abgelagert, wodurch eine einkristalline SiC-Schicht entsteht. Bei der CVD-Methode wird eine SiC-Schicht auf einem Substrat abgelagert, indem ein Gasgemisch, das Silizium- und Kohlenstoffvorläufer enthält, bei hohen Temperaturen reagiert.

Sobald der SiC-Kristall gezüchtet ist, wird er in dünne Scheiben geschnitten und auf ein hohes Maß an Ebenheit und Glätte poliert. Die resultierenden SiC-Scheiben können dann als Plattform für das Wachstum zusätzlicher Halbleiterschichten verwendet werden, die mit Verunreinigungen dotiert werden können, um p-Typ- und n-Typ-Bereiche für die Geräteherstellung zu erzeugen.

SiC-Wafer haben gegenüber anderen Halbleitermaterialien wie Silizium mehrere Vorteile. SiC hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit, was bedeutet, dass es bei höheren Temperaturen betrieben werden kann, ohne dass es zu einem thermischen Durchschlag kommt. Darüber hinaus hat SiC eine höhere Durchschlagsspannung und kann bei höheren Spannungen und Frequenzen betrieben werden als Silizium, wodurch es für Anwendungen wie Hochleistungselektronik und Hochfrequenzgeräte geeignet ist.

Erfahren Sie mehr über die Eigenschaften von SiC-Wafern

Die einzigartige elektronische Bandstruktur von SiC-Wafern ist der Schlüssel zu ihren außergewöhnlichen Eigenschaften. Eine breite Bandlücke stellt eine hohe Hürde für Elektronen dar, was zwei wesentliche Vorteile mit sich bringt:

Hochtemperaturstabilität:Niedrige intrinsische Trägerkonzentrationen bedeuten, dass SiC-Geräte bei erhöhten Temperaturen ohne nennenswerte Leckströme betrieben werden können, ideal für anspruchsvolle Umgebungen.

Hohes elektrisches Durchbruchfeld:Die große Bandlücke trägt außerdem zu einer hohen Widerstandsfähigkeit gegenüber hohen Spannungen bei und ermöglicht so Geräte mit hohen Sperrspannungen und geringem Durchlasswiderstand.

Über die elektrischen Eigenschaften hinaus zeichnen sich SiC-Wafer auch in thermischer und mechanischer Hinsicht aus.

Effiziente Wärmeableitung:Durch die außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit kann SiC Wärme effizient ableiten, eine entscheidende Eigenschaft für Hochleistungsanwendungen.

Haltbarkeit in rauen Umgebungen:Durch seine hohe mechanische Festigkeit und Härte ist SiC verschleißfest und für anspruchsvolle Umgebungen geeignet.

SiC gibt es in verschiedenen Formen, den sogenannten Polytypen, die sich durch die Stapelanordnung der Silizium- und Kohlenstoffatome unterscheiden. Darunter sind 4H-SiC und 6H-SiC in der Elektronik am häufigsten anzutreffen.

4H-SiC:Aufgrund der besseren Elektronenbeweglichkeit und größeren Bandlücke wird es für die Leistungselektronik bevorzugt, was zu höherer Effizienz und Leistung führt.

6H-SiC:Findet aufgrund seiner höheren Lochbeweglichkeit und etwas schmaleren Bandlücke Anwendung in Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten.

Die Wahl des Polytyps hängt von den Anforderungen der jeweiligen Anwendung ab. Faktoren wie gewünschte elektrische Eigenschaften, Betriebsbedingungen und angestrebte Geräteleistung spielen bei der Auswahl des optimalen SiC-Wafertyps eine Rolle.

Unsere Produkte beziehen wir ausschließlich von den fünf weltweit führenden Herstellern und führenden inländischen Fabriken. Unterstützt durch hochqualifizierte nationale und internationale technische Teams und strenge Qualitätskontrollmaßnahmen.

Unser Ziel ist es, den Kunden eine umfassende individuelle Betreuung zu bieten und reibungslose Kommunikationskanäle zu gewährleisten, die professionell, zeitnah und effizient sind. Wir bieten eine geringe Mindestbestellmenge und garantieren eine schnelle Lieferung innerhalb von 24 Stunden.

Unser umfangreicher Lagerbestand besteht aus 1000+ Produkten, sodass Kunden Bestellungen bereits ab einem Stück aufgeben können. Unsere eigenen Geräte zum Würfeln und Hinterschleifen sowie die umfassende Zusammenarbeit in der globalen Industriekette ermöglichen uns einen pünktlichen Versand, um die Zufriedenheit und den Komfort unserer Kunden aus einer Hand zu gewährleisten.

Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.

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