SiC-Epitaxie-Wafer

SiC-Epitaxie-Wafer

SiC-Epi-Wafer sind ein hochwertiges und hochentwickeltes Halbleiterprodukt auf dem Markt. Es handelt sich um eine Art Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer, der in verschiedenen elektronischen und optischen Anwendungen eine hervorragende Leistung bietet.
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Beschreibung
Technische Parameter
Produktbeschreibung

 

SiC-Epi-Wafer sind ein hochwertiges und fortschrittliches Halbleiterprodukt auf dem Markt. Es handelt sich um eine Art Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer, der in verschiedenen elektronischen und optischen Anwendungen eine hervorragende Leistung bietet. Der SiC-Epi-Wafer wird unter Verwendung fortschrittlicher Kristallwachstumstechniken hergestellt, was zu einem hochwertigen Material mit hervorragenden Eigenschaften führt.

 

Einer der wesentlichen Vorteile von SiC-Epi-Wafer ist seine hohe Durchschlagsspannung, was ihn zur idealen Wahl für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen macht. Er ist außerdem äußerst widerstandsfähig gegen thermische und mechanische Belastungen, was Stabilität und Haltbarkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet. Seine hervorragenden Wärmeleitfähigkeiten ermöglichen eine effiziente Wärmeableitung und verringern das Risiko von Hitzeschäden an elektronischen Komponenten.

 

Der SiC-Epi-Wafer wird häufig in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Geräten verwendet, darunter Leistungselektronik, Beleuchtung und Sensoren. Er bietet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit, selbst in anspruchsvollen Anwendungen, die hohe Temperaturen und hohe Leistung erfordern. Darüber hinaus ist er eine umweltfreundliche und nachhaltige Alternative zu herkömmlichen Materialien auf Siliziumbasis und damit eine ideale Wahl für umweltbewusste Verbraucher.

 

4H N-TYP SiC 100MM, 350μm WAFER SPEZIFIKATION

Artikelnummer

W4H100N-4-PO (oder CO)-350

Beschreibung

4H SiC-Substrat

Polytypie

4H

Durchmesser

(100+0.0-0.5) mm

Dicke

(350±25) μm (technische Qualität ±50μm)

Trägertyp

n-Typ

Dotierstoff

Stickstoff

Spezifischer Widerstand (RT)

0.012-0.025Ω▪cm (technische Qualität<0.025Ω▪cm)

Waferausrichtung

(4+0.5) Grad

Technische Qualität

Produktionsqualität

Produktionsqualität

2.1

2.2

2.3

Mikrorohrdichte

Kleiner oder gleich 30cm-²

Kleiner oder gleich 10cm-²

Kleiner oder gleich 1cm-²

Mikrorohr Freie Fläche

Nicht angegeben

Größer oder gleich 96 %

Größer oder gleich 96 %

Ausrichtung flach (OF)

 

Orientierung

Parallel {1-100} ±5 Grad

Ausrichtung flache Länge

(32,5±2,0) mm

Identifikationsfläche (IF)

 

Orientierung

Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, von der Ausrichtung flach ±5 Grad

Kennzeichnung Flachlänge

(18.0+2.0) mm

 

Oberfläche

Option 1: Si-Face Standardpolitur Epi-ready C-Face optische Politur

Option 2: Si-Face CMP Epi-ready, C-Face optische Politur

Paket

Versandkarton für mehrere Wafer (25)

(Einzelwaferpaket auf Anfrage)

 

6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPEZIFIKATION

Artikelnummer

W6H51N-0-Uhr-250-S

Beschreibung

6H-SiC-Substrat in Produktionsqualität

Polytypie

6H

Durchmesser

(50,8±38) mm

Dicke

(250±25) UM

Trägertyp

n-Typ

Dotierstoff

Stickstoff

Spezifischer Widerstand (RT)

0.06-0.10Ω▪CM

Waferausrichtung

(0+0.5) Grad

Mikrorohrdichte

Kleiner oder gleich 100cm-²

Ausrichtung flache Ausrichtung

Parallel {1-100} ±5 Grad

Ausrichtung flache Länge

(15,88±1,65) mm

Kennzeichnung flache Ausrichtung

Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, vordere Ausrichtung flach ±5 Grad

Kennzeichnung Flachlänge

(8+1.65) mm

Oberfläche

Si-Face Standardpolitur Epi-ready

C-Gesicht mattiert

Paket

Verpacken Sie ein einzelnes Waferpaket oder einen Versandkarton mit mehreren Wafern

 

Produktbild

SiC GaN Wafer1

Warum uns wählen

 

Unsere Produkte beziehen wir ausschließlich von den fünf weltweit führenden Herstellern und führenden inländischen Fabriken. Unterstützt durch hochqualifizierte nationale und internationale technische Teams und strenge Qualitätskontrollmaßnahmen.

Unser Ziel ist es, den Kunden eine umfassende individuelle Betreuung zu bieten und reibungslose Kommunikationskanäle zu gewährleisten, die professionell, zeitnah und effizient sind. Wir bieten eine geringe Mindestbestellmenge und garantieren eine schnelle Lieferung innerhalb von 24 Stunden.

 

Fabrikschau

 

Unser umfangreicher Lagerbestand besteht aus 1000+ Produkten, sodass Kunden Bestellungen bereits ab einem Stück aufgeben können. Unsere eigenen Geräte zum Würfeln und Hinterschleifen sowie die umfassende Zusammenarbeit in der globalen Industriekette ermöglichen uns einen pünktlichen Versand, um die Zufriedenheit und den Komfort unserer Kunden aus einer Hand zu gewährleisten.

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Unser Zertifikat

 

Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.

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