Produktbeschreibung
SiC-Epi-Wafer sind ein hochwertiges und fortschrittliches Halbleiterprodukt auf dem Markt. Es handelt sich um eine Art Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer, der in verschiedenen elektronischen und optischen Anwendungen eine hervorragende Leistung bietet. Der SiC-Epi-Wafer wird unter Verwendung fortschrittlicher Kristallwachstumstechniken hergestellt, was zu einem hochwertigen Material mit hervorragenden Eigenschaften führt.
Einer der wesentlichen Vorteile von SiC-Epi-Wafer ist seine hohe Durchschlagsspannung, was ihn zur idealen Wahl für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen macht. Er ist außerdem äußerst widerstandsfähig gegen thermische und mechanische Belastungen, was Stabilität und Haltbarkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet. Seine hervorragenden Wärmeleitfähigkeiten ermöglichen eine effiziente Wärmeableitung und verringern das Risiko von Hitzeschäden an elektronischen Komponenten.
Der SiC-Epi-Wafer wird häufig in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Geräten verwendet, darunter Leistungselektronik, Beleuchtung und Sensoren. Er bietet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit, selbst in anspruchsvollen Anwendungen, die hohe Temperaturen und hohe Leistung erfordern. Darüber hinaus ist er eine umweltfreundliche und nachhaltige Alternative zu herkömmlichen Materialien auf Siliziumbasis und damit eine ideale Wahl für umweltbewusste Verbraucher.
4H N-TYP SiC 100MM, 350μm WAFER SPEZIFIKATION |
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Artikelnummer |
W4H100N-4-PO (oder CO)-350 |
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Beschreibung |
4H SiC-Substrat |
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Polytypie |
4H |
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Durchmesser |
(100+0.0-0.5) mm |
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Dicke |
(350±25) μm (technische Qualität ±50μm) |
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Trägertyp |
n-Typ |
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Dotierstoff |
Stickstoff |
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Spezifischer Widerstand (RT) |
0.012-0.025Ω▪cm (technische Qualität<0.025Ω▪cm) |
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Waferausrichtung |
(4+0.5) Grad |
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Technische Qualität |
Produktionsqualität |
Produktionsqualität |
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2.1 |
2.2 |
2.3 |
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Mikrorohrdichte |
Kleiner oder gleich 30cm-² |
Kleiner oder gleich 10cm-² |
Kleiner oder gleich 1cm-² |
Mikrorohr Freie Fläche |
Nicht angegeben |
Größer oder gleich 96 % |
Größer oder gleich 96 % |
Ausrichtung flach (OF) |
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Orientierung |
Parallel {1-100} ±5 Grad |
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Ausrichtung flache Länge |
(32,5±2,0) mm |
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Identifikationsfläche (IF) |
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Orientierung |
Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, von der Ausrichtung flach ±5 Grad |
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Kennzeichnung Flachlänge |
(18.0+2.0) mm
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Oberfläche |
Option 1: Si-Face Standardpolitur Epi-ready C-Face optische Politur |
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Option 2: Si-Face CMP Epi-ready, C-Face optische Politur |
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Paket |
Versandkarton für mehrere Wafer (25) |
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(Einzelwaferpaket auf Anfrage) |
6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPEZIFIKATION |
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Artikelnummer |
W6H51N-0-Uhr-250-S |
Beschreibung |
6H-SiC-Substrat in Produktionsqualität |
Polytypie |
6H |
Durchmesser |
(50,8±38) mm |
Dicke |
(250±25) UM |
Trägertyp |
n-Typ |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Spezifischer Widerstand (RT) |
0.06-0.10Ω▪CM |
Waferausrichtung |
(0+0.5) Grad |
Mikrorohrdichte |
Kleiner oder gleich 100cm-² |
Ausrichtung flache Ausrichtung |
Parallel {1-100} ±5 Grad |
Ausrichtung flache Länge |
(15,88±1,65) mm |
Kennzeichnung flache Ausrichtung |
Si-Fläche: 90 Grad im Uhrzeigersinn, vordere Ausrichtung flach ±5 Grad |
Kennzeichnung Flachlänge |
(8+1.65) mm |
Oberfläche |
Si-Face Standardpolitur Epi-ready |
C-Gesicht mattiert |
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Paket |
Verpacken Sie ein einzelnes Waferpaket oder einen Versandkarton mit mehreren Wafern |
Produktbild
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