Beschreibung

Technische Parameter

Produktbeschreibung

SOI steht für Silicon-on-Insulator. Ein SOI-Wafer besteht aus 3 Grundschichten, einer Geräteschicht, einer BOX-Schicht und einer Griffschicht. Die BOX-Schicht, auch vergrabene Oxidschicht genannt, ist zwischen der Geräteschicht und der Griffschicht eingeschlossen.

In der oberen Geräteschicht bilden sich Transistoren, die für die Geschwindigkeit und Effizienz von SOI-Wafer entscheidend sind. Diese Transistoren sind nicht nur hervorragend, wenn es um die Energieeinsparung geht, sondern sie sind auch vor äußeren Einflüssen wie kosmischer Strahlung und radioaktiven Störungen geschützt, was zu einem geringeren Datenverlust führt.

SOI-Siliziumwafer sind ideal für Hochleistungs-ICs wie Mikroprozessoren, da sie eine stabilere und zuverlässigere Grundlage für die Schaltkreise bieten. Darüber hinaus eignen sie sich gut für drahtlose Kommunikationsgeräte, die für eine effiziente Funktion einen geringen Stromverbrauch und eine schnelle Datenübertragung benötigen.

Insgesamt bieten SOI-Siliziumwafer erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Siliziumwafern und sind daher eine entscheidende Komponente bei der Herstellung moderner Elektronik.

Wir können einen Durchmesser von 2"-12, eine obere Siliziumdicke von 55 nm-500 um und eine Dicke der vergrabenen Sauerstoffschicht von 175 nm-16 um liefern.

Sibranch bietet SOI-Wafer der folgenden Typen an:

Dicker SOI-Wafer

Dieser Wafertyp hat eine Gerätedicke von 1 µm bis 300 µm.

Ultradünner SOI-Wafer

Dieser Wafertyp hat eine Gerätedicke<500nm.

Ultra-einheitlicher SOI-Wafer

Die Gleichmäßigkeit der Gerätedicke kann bei dickem SOI nur ±0,5 µm und bei ultradünnem SOI ±10 nm betragen.

Ultraflacher SOI-Wafer

Dieser SOI-Typ weist für bestimmte Anwendungen sehr niedrige BOW-/WARP-/TTV-Werte auf.

Durchmesser	76, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 100 mm, 300 mm
Gerätedicke und maximale Toleranz	76 mm, 100 mm, 125 mm und 150 mm	2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm
		50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm
		6-50 +/- .5μm
	200 mm	50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm

Dicke der Oxidschicht	Standard – 0,5 μm, 1 μm und 2 μm
Dicke der Oxidschicht	Optional – .1 – 10μm
Griff-Waferdicke	3", 100 mm – 300 μm und mehr
	125 mm, 150 mm – 400 μm und mehr
	200 mm – 500 μm und mehr
	Toleranz: Standard +/- 25μm
	Spezial +/- 5µm
Dotierstoffe	N-Typ – Phosphor, Arsen und Antimon
Dotierstoffe	P-Typ – Bor
Spezifische Widerstände	Die meisten Widerstände sind auf Anfrage erhältlich, einschließlich Float Zone mit hohem Widerstand und CZ mit niedrigem Widerstand
Orientierung	<1-0-0>Standard,<1-1-1>Und<1-1-0>Optional auf Anfrage
	Standardtoleranz +/- 0,5 Grad
	Spezielle Toleranz von nur +/- 0,1 Grad
Flache Ausrichtung	Alle großen Abflachungen/Einkerbungen befinden sich auf der<110>Ebene +/-.5 Grad
	Strengere Spezifikationen auf Anfrage erhältlich
	Halbstandardmäßige kleinere Abflachungen sind Standard bei 76,2 und 100 mm
Beenden	Doppelseitig polierter Standard
Beenden	Optionale Rückseitenveredelung – Nanoschliff oder Oxid
Beschichtungen	Oxid und Nitrid können auf beiden Seiten des Wafers aufgebracht werden.
Optionale ionenimplantierte vergrabene Schicht	An der Verbindungsstelle kann eine vergrabene Schicht in die aktive Schicht implantiert werden. Bitte prüfen Sie, ob Ihr gewünschter Dotierstoff, Ihre gewünschte Dotierstoffkonzentration und Ihre gewünschten Energien verfügbar sind. Dieser Service wird von einem externen Auftragnehmer erbracht.

Produktbild

Warum uns wählen

Unsere Produkte beziehen wir ausschließlich von den fünf weltweit führenden Herstellern und führenden inländischen Fabriken. Unterstützt durch hochqualifizierte nationale und internationale technische Teams und strenge Qualitätskontrollmaßnahmen.

Unser Ziel ist es, den Kunden eine umfassende individuelle Betreuung zu bieten und reibungslose Kommunikationskanäle zu gewährleisten, die professionell, zeitnah und effizient sind. Wir bieten eine geringe Mindestbestellmenge und garantieren eine schnelle Lieferung innerhalb von 24 Stunden.

Fabrikschau

Unser umfangreicher Lagerbestand besteht aus 1000+ Produkten, sodass Kunden Bestellungen bereits ab einem Stück aufgeben können. Unsere eigenen Geräte zum Würfeln und Hinterschleifen sowie die umfassende Zusammenarbeit in der globalen Industriekette ermöglichen uns einen pünktlichen Versand, um die Zufriedenheit und den Komfort unserer Kunden aus einer Hand zu gewährleisten.

Unser Zertifikat

Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.