Produktbeschreibung
SOI steht für Silicon-on-Insulator. Ein SOI-Wafer besteht aus drei Grundschichten: einer Geräteschicht, einer BOX-Schicht und einer Handle-Schicht. Die BOX-Schicht, auch Buried Oxide-Schicht genannt, ist zwischen der Device-Schicht und der Handle-Schicht eingeschlossen.
In der oberen Geräteschicht bilden sich Transistoren, die den Mittelpunkt der Geschwindigkeit und Effizienz des SOI-Wafers bilden. Diese Transistoren eignen sich nicht nur hervorragend zum Energiesparen, sondern sind auch vor äußeren Faktoren wie kosmischer Strahlung und radioaktiven Störungen abgeschirmt, was zu einem geringeren Datenverlust führt.
SOI-Siliziumwafer eignen sich ideal für Hochleistungs-ICs wie Mikroprozessoren, da sie eine stabilere und zuverlässigere Grundlage für die Schaltkreise bieten. Darüber hinaus eignen sie sich gut für drahtlose Kommunikationsgeräte, die für einen effizienten Betrieb einen geringen Stromverbrauch und eine schnelle Datenübertragung erfordern.
Insgesamt bieten SOI-Siliziumwafer erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Siliziumwafern, was sie zu einer entscheidenden Komponente bei der Herstellung moderner Elektronik macht.
Wir können einen Durchmesser von 2"-12, eine Dicke des oberen Siliziums von 55 nm-500um und eine Dicke der vergrabenen Sauerstoffschicht von 175 nm-16um liefern.
Sibranch bietet SOI-Wafer der folgenden Typen an:
Dicker SOI-Wafer
Dieser Wafertyp hat eine Gerätedicke von 1 µm bis 300 µm.
Ultradünner SOI-Wafer
Dieser Wafertyp hat eine Gerätedicke<500nm.
Ultra-einheitlicher SOI-Wafer
Die Gleichmäßigkeit der Gerätedicke kann bei dickem SOI nur ±0,5 µm und bei ultradünnem SOI ±10 nm betragen.
Ultraflacher SOI-Wafer
Dieser SOI-Typ weist für bestimmte Anwendungen ein sehr niedriges BOW/WARP/TTV auf.
|
Durchmesser |
76, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 100 mm, 300 mm |
|
|
Gerätedicke und maximale Toleranz |
76 mm, 100 mm, 125 mm und 150 mm |
2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm |
|
50-150 +/- 1μm |
||
|
>150 +/- 2μm |
||
|
6-50 +/- .5μm |
||
|
200 Millimeter |
50-150 +/- 1μm |
|
|
>150 +/- 2μm |
||
|
Dicke der Oxidschicht |
Standard – 0,5 μm, 1 μm und 2 μm |
|
Optional – 0,1 – 10 μm |
|
|
Behandeln Sie die Waferdicke |
3", 100mm – 300μm und mehr |
|
125 mm, 150 mm – 400 μm und mehr |
|
|
200 mm – 500 μm und mehr |
|
|
Toleranz: Standard +/- 25μm |
|
|
Speziell +/- 5μm |
|
|
Dotierstoffe |
N-Typ – Phosphor, Arsen und Antimon |
|
P-Typ – Bor |
|
|
Widerstände |
Die meisten Widerstandswerte sind auf Anfrage erhältlich, einschließlich Float Zone mit hohem Widerstand und CZ mit niedrigem Widerstand |
|
Orientierung |
<1-0-0>Standard,<1-1-1>Und<1-1-0>Optional auf Anfrage |
|
Standardtoleranz +/- 0,5 Grad |
|
|
Spezielle Toleranz von nur +/- 0,1 Grad |
|
|
Flache Ausrichtung |
Alle wichtigen Abflachungen/Kerben liegen auf der<110>Ebene +/- 0,5 Grad |
|
Genauere Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich |
|
|
Semi-Standard-Minor-Flats sind bei 76,2 und 100 mm Standard |
|
|
Beenden |
Doppelseitig polierter Standard |
|
Optionale Rückseitenveredelung – Nanoschliff oder Oxid |
|
|
Beschichtungen |
Oxid und Nitrid können auf beiden Seiten des Wafers zugeführt werden. |
|
Optionale ionenimplantierte vergrabene Schicht |
An der Bondschnittstelle kann eine vergrabene Schicht in die aktive Schicht implantiert werden. Bitte prüfen Sie, ob Ihr gewünschter Dotierstoff, Ihre Dotierstoffkonzentration und Ihre gewünschten Energien verfügbar sind. Dieser Service wird von einem externen Auftragnehmer erbracht. |
Produktbild
Warum uns wählen
Unsere Produkte beziehen wir ausschließlich von den fünf weltweit führenden Herstellern und führenden inländischen Fabriken. Unterstützt durch hochqualifizierte nationale und internationale technische Teams und strenge Qualitätskontrollmaßnahmen.
Unser Ziel ist es, den Kunden eine umfassende individuelle Betreuung zu bieten und reibungslose Kommunikationskanäle zu gewährleisten, die professionell, zeitnah und effizient sind. Wir bieten eine geringe Mindestbestellmenge und garantieren eine schnelle Lieferung innerhalb von 24 Stunden.
Fabrikschau
Unser umfangreicher Lagerbestand besteht aus 1000+ Produkten, sodass Kunden Bestellungen bereits ab einem Stück aufgeben können. Unsere eigenen Geräte zum Würfeln und Hinterschleifen sowie die umfassende Zusammenarbeit in der globalen Industriekette ermöglichen uns einen pünktlichen Versand, um die Zufriedenheit und den Komfort unserer Kunden aus einer Hand zu gewährleisten.
Unser Zertifikat
Unser Unternehmen ist stolz auf die verschiedenen Zertifizierungen, die wir erhalten haben, darunter unser Patentzertifikat, das ISO9001-Zertifikat und das National High-Tech Enterprise-Zertifikat. Diese Zertifizierungen stehen für unser Engagement für Innovation, Qualitätsmanagement und unser Engagement für Spitzenleistungen.
Beliebte label: Silizium auf Isolatorwafer, China Silizium auf Isolatorwafer Hersteller, Lieferanten, Fabrik
